2025年6月，美光科技正式向合作伙伴交付基于1γ制程節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存認(rèn)證樣品，這項(xiàng)突破性技術(shù)將重塑移動(dòng)設(shè)備性能邊界。作為全球首款采用極紫外（EUV）光刻技術(shù)的移動(dòng)內(nèi)存解決方案，其10.7Gbps的傳輸速率與20%的功耗降低形成鮮明對(duì)比，配合僅0.61毫米的超薄封裝，為智能手機(jī)AI應(yīng)用樹立新標(biāo)準(zhǔn)。在技術(shù)實(shí)現(xiàn)層面，美光通過(guò)三項(xiàng)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展：首先，新一代HKMG晶體管技術(shù)顯著提升電荷控制