中國(guó)無(wú)錫，2025年9月4日 —— 在第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng) “中微公司”，股票代碼：688012.SH）宣布重磅推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品。這些設(shè)備覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關(guān)鍵工藝，不僅充分彰顯了中微公司在技術(shù)領(lǐng)域的硬核實(shí)力，更進(jìn)一步鞏固了其在高端半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，為加速向高端設(shè)備平臺(tái)化公司轉(zhuǎn)型注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
開(kāi)幕式上，中微公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理尹志堯博士在主旨報(bào)告環(huán)節(jié)正式宣布了六款新設(shè)備的發(fā)布，并深入闡述了新產(chǎn)品的先進(jìn)性能與獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。他強(qiáng)調(diào)，中微公司始終以市場(chǎng)與客戶(hù)需求為導(dǎo)向，持續(xù)加大研發(fā)力度。公司2025年上半年研發(fā)投入達(dá)14.92億元，同比增長(zhǎng)約53.70 %， 研發(fā)投入占公司營(yíng)業(yè)收入比例約為30.07%，遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板上市公司10%到15%的平均研發(fā)投入水平。目前，公司在研項(xiàng)目涵蓋六大類(lèi)、超二十款新設(shè)備，研發(fā)速度實(shí)現(xiàn)跨越式提升 —— 過(guò)去一款新設(shè)備的開(kāi)發(fā)周期通常為3到5 年，如今僅需 2 年甚至更短時(shí)間就能推出極具市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品并順利落地。
尹志堯博士在開(kāi)幕式上做主旨報(bào)告
刻蝕技術(shù)再攀高峰 兩款新品又增核心競(jìng)爭(zhēng)力
在刻蝕技術(shù)方面，中微公司此次發(fā)布的兩款新品分別在極高深寬比刻蝕及金屬刻蝕領(lǐng)域?yàn)榭蛻?hù)提供了領(lǐng)先和高效的解決方案。
中微公司新一代極高深寬比等離子體刻蝕“利器”—— CCP 電容性高能等離子體刻蝕機(jī)Primo UD-RIE® 基于成熟的 Primo HD-RIE® 設(shè)計(jì)架構(gòu)并全面升級(jí)，配備六個(gè)單反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔，通過(guò)更低頻率、更大功率的射頻偏壓電源，提供更高離子轟擊能量，可以滿(mǎn)足極高深寬比刻蝕的嚴(yán)苛要求，兼顧刻蝕精度與生產(chǎn)效率。
Primo UD-RIE®引入了多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，自主研發(fā)的動(dòng)態(tài)邊緣阻抗調(diào)節(jié)系統(tǒng)通過(guò)調(diào)節(jié)晶圓邊緣等離子體殼層調(diào)節(jié)邊緣深孔刻蝕的垂直性，大大提高了晶圓邊緣的合格率。其上電極多區(qū)溫控系統(tǒng)，優(yōu)化了高射頻功率下的散熱管理，有效提升了設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。同時(shí)，Primo UD-RIE®還采用了全新的溫度可切換多區(qū)控溫靜電吸盤(pán)和主動(dòng)控溫邊緣組件，不僅提高了抗電弧放電能力，還顯著提升了晶圓邊緣的良率，為生產(chǎn)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片提供了有力保障。
中微公司Primo UD-RIE®
同步亮相的Primo Menova™? 12 寸ICP 單腔刻蝕設(shè)備，專(zhuān)注于金屬刻蝕領(lǐng)域，尤其擅長(zhǎng)金屬 Al 線(xiàn)、Al 塊刻蝕，廣泛適用于功率半導(dǎo)體、存儲(chǔ)器件及先進(jìn)邏輯芯片制造，是晶圓廠(chǎng)金屬化工藝的核心設(shè)備。這款設(shè)備延續(xù)了中微公司量產(chǎn)機(jī)型 Primo Nanova® 的優(yōu)秀基因，在刻蝕均一性控制方面表現(xiàn)卓越，可實(shí)現(xiàn)高速率、高選擇比及低底層介質(zhì)損傷等優(yōu)異性能。同時(shí)，其高效腔體清潔工藝能有效減少腔室污染、延長(zhǎng)持續(xù)運(yùn)行時(shí)間；集成的高溫水蒸氣除膠腔室（VoDM strip chamber）可高效清除金屬刻蝕后晶圓表面殘留的光刻膠及副產(chǎn)物。此外，主刻蝕腔體與除膠腔體可根據(jù)客戶(hù)工藝需求靈活組合，最大限度滿(mǎn)足高生產(chǎn)效率要求，確保高負(fù)荷生產(chǎn)中的穩(wěn)定性與良率。今年 6 月，該設(shè)備的全球首臺(tái)機(jī)已付運(yùn)到客戶(hù)認(rèn)證，進(jìn)展順利，并和更多的客戶(hù)展開(kāi)合作。
中微公司Primo Menova™?
薄膜沉積布局升級(jí) Preforma Uniflash® 系列填補(bǔ)空白
在此次新品發(fā)布中，中微公司推出的 12 英寸原子層沉積產(chǎn)品 Preforma Uniflash® 金屬柵系列，成為薄膜沉積領(lǐng)域的一大亮點(diǎn)。該系列涵蓋Preforma Uniflash® TiN、Preforma Uniflash® TiAI及Preforma Uniflash® TaN三大產(chǎn)品，能夠滿(mǎn)足先進(jìn)邏輯與先進(jìn)存儲(chǔ)器件在金屬柵方面的應(yīng)用需求。
Preforma Uniflash® 金屬柵系列產(chǎn)品采用中微公司獨(dú)創(chuàng)的雙反應(yīng)臺(tái)設(shè)計(jì)，系統(tǒng)可靈活配置多達(dá)五個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔，滿(mǎn)足高真空系統(tǒng)工藝集成需求的同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)效率。該系列產(chǎn)品搭載中微公司獨(dú)有的多級(jí)勻氣混氣系統(tǒng)，融合基于模型算法的加熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)，以及可實(shí)現(xiàn)高效原子層沉積反應(yīng)的反應(yīng)腔流導(dǎo)設(shè)計(jì)等核心技術(shù)，不僅能滿(mǎn)足先進(jìn)邏輯客戶(hù)的性能需求，其設(shè)備在薄膜均一性、污染物控制能力及生產(chǎn)效率方面均達(dá)到世界先進(jìn)水平。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迭代升級(jí)，原子層沉積技術(shù)的應(yīng)用需求持續(xù)攀升。其中，金屬柵應(yīng)用作為先進(jìn)邏輯器件的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)設(shè)備的薄膜厚度和特性的精準(zhǔn)控制、臺(tái)階覆蓋率、顆粒物污染控制及系統(tǒng)整合能力均提出了極高要求。Preforma Uniflash® 系列的推出，不僅進(jìn)一步豐富了中微公司的薄膜設(shè)備產(chǎn)品線(xiàn)，更以其在高精度、高性能原子層沉積領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體工藝應(yīng)用上的全新突破，為中微公司長(zhǎng)期發(fā)展開(kāi)辟了更為廣闊的空間。
中微公司Preforma Uniflash® 金屬柵系列
堅(jiān)持突破創(chuàng)新 構(gòu)建多元產(chǎn)品矩陣
中微公司在新興技術(shù)領(lǐng)域的布局同樣令人矚目，其發(fā)布的全球首款雙腔減壓外延設(shè)備 PRIMIO Epita® RP，憑借獨(dú)特設(shè)計(jì)成為行業(yè)焦點(diǎn)。作為目前市場(chǎng)上獨(dú)有的雙腔設(shè)計(jì)外延減壓設(shè)備，其反應(yīng)腔體積為全球最小，且可靈活配置多至6 個(gè)反應(yīng)腔，在顯著降低生產(chǎn)成本與化學(xué)品消耗的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了高生產(chǎn)效率。該設(shè)備搭載擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的雙腔設(shè)計(jì)、多層獨(dú)立控制氣體分區(qū)，以及具備多個(gè)徑向調(diào)節(jié)能力的溫場(chǎng)和溫控設(shè)計(jì)，確保了優(yōu)秀的流場(chǎng)與溫場(chǎng)均勻性及調(diào)節(jié)能力。憑借卓越的工藝適應(yīng)性和兼容性，該設(shè)備可滿(mǎn)足從成熟到先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的邏輯、存儲(chǔ)和功率器件等多領(lǐng)域外延工藝需求。去年 8 月，該設(shè)備已付運(yùn)到客戶(hù)進(jìn)行成熟制程和先進(jìn)制程驗(yàn)證，進(jìn)展順利，并將和更多的客戶(hù)展開(kāi)合作。
中微公司PRIMIO Epita® RP
作為國(guó)內(nèi)高端半導(dǎo)體設(shè)備制造的領(lǐng)軍者，中微公司的技術(shù)實(shí)力已得到全球市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可。其等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于國(guó)際一線(xiàn)客戶(hù)從 65 納米到 14 納米、7 納米、5 納米及其他先進(jìn)集成電路加工制造生產(chǎn)線(xiàn)，以及先進(jìn)存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝生產(chǎn)線(xiàn)。其中，CCP 電容性高能等離子體刻蝕機(jī)和 ICP 電感性低能等離子體刻蝕機(jī)可覆蓋國(guó)內(nèi)95% 以上的刻蝕應(yīng)用需求，在性能、穩(wěn)定性等方面滿(mǎn)足客戶(hù)先進(jìn)制程的嚴(yán)苛要求。截至 2025 年6月底，公司累計(jì)已有超 6800 臺(tái)等離子體刻蝕和化學(xué)薄膜設(shè)備的反應(yīng)臺(tái)，在國(guó)內(nèi)外 155 條生產(chǎn)線(xiàn)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和大規(guī)模重復(fù)性銷(xiāo)售，深度融入全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。
中微公司始終堅(jiān)持突破創(chuàng)新，強(qiáng)調(diào) “技術(shù)的創(chuàng)新、產(chǎn)品的差異化和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)”，公司目前在研項(xiàng)目涵蓋六類(lèi)設(shè)備、超二十款新設(shè)備的開(kāi)發(fā)，包括新一代的CCP高能等離子體刻蝕設(shè)備、新一代的ICP低能等離子體刻蝕設(shè)備，晶圓邊緣刻蝕設(shè)備，低壓熱化學(xué)沉積LPCVD及原子水平沉積ALD等薄膜設(shè)備、硅和鍺硅外延EPI設(shè)備，新一代等離子體源的PECVD設(shè)備和電子束量檢測(cè)等設(shè)備。在泛半導(dǎo)體微觀制造領(lǐng)域，中微公司也在不斷拓展產(chǎn)品布局，包括制造氮化鎵基發(fā)光二極管，Mini-LED和Micro-LED的MOCVD設(shè)備，用于紅黃光LED的MOCVD設(shè)備，制造碳化硅和氮化鎵功率器件的MOCVD設(shè)備，制造MEMS的深硅刻蝕設(shè)備，先進(jìn)封裝Chiplet所需的TSV刻蝕設(shè)備和PVD設(shè)備，新型顯示技術(shù)領(lǐng)域所需的核心薄膜及等離子體刻蝕設(shè)備等。
未來(lái)，中微公司將瞄準(zhǔn)“打造世界級(jí)裝備企業(yè)”戰(zhàn)略目標(biāo)，持續(xù)開(kāi)發(fā)高端設(shè)備產(chǎn)品，不斷提升產(chǎn)品的性能和質(zhì)量、提高運(yùn)營(yíng)效率和風(fēng)險(xiǎn)管控能力，認(rèn)真貫徹“五個(gè)十大”的企業(yè)文化，即“產(chǎn)品開(kāi)發(fā)十大原則”、“戰(zhàn)略銷(xiāo)售十大準(zhǔn)則”、“營(yíng)運(yùn)管理十大章法”、“精神文化十大作風(fēng)”和“領(lǐng)導(dǎo)能力十大要點(diǎn)”，堅(jiān)持三維立體發(fā)展戰(zhàn)略，堅(jiān)持有機(jī)生長(zhǎng)和外延擴(kuò)展的策略，實(shí)現(xiàn)高速、穩(wěn)定、健康和安全的高質(zhì)量發(fā)展，力爭(zhēng)盡早成為高端設(shè)備平臺(tái)化公司，在規(guī)模上和競(jìng)爭(zhēng)力上成為國(guó)際一流的半導(dǎo)體設(shè)備公司！
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